Samsung GALAXY SIVはGALAXY NoteシリーズでおなじみのS Penを採用し2013年4月発売を目指すとeNuri.com（via phone Arena）が伝えています。
写真はGALAXY S III
業界筋によれば、GALAXY SIVは5インチのAMOLEDパネルにSPenを搭載し2013年4月の発売を目標としているといいます。また、IR LED（赤外線LED）を初めて搭載されるとしています。既存のカメラセンサー方式と比べて検出速度がの2倍以上高速になるといいます。チップはMaxim Integrated Productsが供給します。
GALAXY SIVのAMOLEDディスプレイは5インチ、1080p、画素密度441ppiとなり、iPhone5のRetinaディスプレイ（326ppi）よりも更に精細になります。プロセッサは28nm High-K Metal Gate（HKMG）技術によるクアッドコアのExynos 5440を搭載します。Exynos 5440はARM Cortex-A15 MPCoreプロセッサとCortex-A7プロセッサの長所を組み合わせたbig.LITTLEアーキテクチャが用いられています。
GALAXY SIVのカメラは、前面に200万画素のフルHDカメラ、背面に1300万画素のオートフォーカスカメラを内蔵します。この高性能カメラにより本体の厚みは若干増し9.2mmになるとしています。
Samsungの関係者は、GALAXY S IVがS Penを採用した理由として、スマートフォン操作に慣れていない中高年層をターゲットにしていると言及しています。
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